失效分析 致力于提供可满足客户需求的高品质和可靠半导体解决方案
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    器件失效是指其功能完全或部分丧失、参数漂移,或间歇性出现以上情况。失效模式是产品失效的外在宏观表 现,有开路、短路、时开时断、功能异常、参数漂移等。按照失效机理。失效可分为结构性失效、热失效、电失效、腐蚀失效等。 失效分析方法: (1)非破坏性分析:X射线透视检查、超声扫面检查、电性能测试、形貌测试、局部成分分析 (2)破坏性分析:开封检查、剖面分析、探针测试、热性能测试、整体成分测试等

    电子数码显微镜检查样品外观、裂纹、污染、划痕、氧化层缺陷等

    X射线检测机检查键合线,芯片连接和引线框架,空洞气泡等

    超声扫描检查器件间的分层,芯片裂纹

    扫描电镜和能谱分析样品的平面图和横截面显微组织检查多层样品检查和精确的临界尺寸测量;样品表面的分析元素进行定性和半定量分析

    离子研磨机对样品的机械抛光的精细加工,微小的裂纹和空隙

    热点定位分析系统侦测芯片表面异常的漏电失效点,以及样品的短路异常点

    激光开帽机去除化合物,裸露裸片,观察裸片或引线键合缺陷

    切片研磨机样品结构的剖面展示,内部结构或者异常点

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